ASA65R600B

安海半导体推出新一代SJ MOSFET系列,采用先进的多层外延技术,优化了元胞结构,具有电流能力强,短路能力好,雪崩特性强,体内二极管反向恢复特性优,dv/dt能力优,EMI特性好,抗浪涌能力强的等特点和优点。 基于电荷平衡,超结核心是pillar柱与N-EPI 电荷平衡,在击穿状态下,完全耗尽。DeepTrench工艺,由于Pillar柱一次形成,无法对Pillar浓度做调整。 而多层外延技术,则可以分步进行调整,使器件的鲁棒性更强,更宽的SOA区间,具有优异的EMI及抗浪涌能力,性能更加稳定。 主要应用于电子产品充电器,LED照明,车载OBC,充电桩,光伏逆变,DC-DC电源等行业。

产品规格