ASA65R600B

安海半导体推出新一代SJ MOSFET系列,采用先进的多层外延技术，优化了元胞结构，具有电流能力强，短路能力好，雪崩特性强，体内二极管反向恢复特性优，dv/dt能力优，EMI特性好，抗浪涌能力强的等特点和优点。 基于电荷平衡，超结核心是pillar柱与N-EPI 电荷平衡，在击穿状态下，完全耗尽。DeepTrench工艺，由于Pillar柱一次形成，无法对Pillar浓度做调整。 而多层外延技术，则可以分步进行调整，使器件的鲁棒性更强，更宽的SOA区间，具有优异的EMI及抗浪涌能力，性能更加稳定。 主要应用于电子产品充电器，LED照明，车载OBC，充电桩，光伏逆变，DC-DC电源等行业。