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便捷式储能应用

便携储能产品应用场景丰富，户外出游、抗震防灾、停电、照明、SOS救援等需求，产品负载多样，工作环境广泛且条件恶劣，对产品工作稳定性要求高；同时为了方便携带，产品体积重量也要比较小，产品功率密度要求较高。安海半导体多样的产品品类和稳定的产品性能方便客户更好的设计产品。
安海半导体为客户提供了丰富的低压MOS产品，极低的 FOM[RDS(on)xQg] 实现了低的导通和开关损耗，便于客户提高产品效率，做到更高的功率密度。优秀的EAS和SOA参数便于客户产品适应不同的负载应用。-40°C-150°C的工作结温，便于客户产品在不同工作环境温度的应用。在 600W及以上的中高功率储能逆变电路，安海半导体可提供大电流系列600V 60A/75A 的IGBT产品，产品工作频率覆盖20〜50KHZ的应用，具备静动态损耗低、短路耐受力强的特点，应用可靠性高。提供系列第三代宽禁带功率半导体碳化硅SIC MOSFET产品，具有电流密度高、开关速度快、浪涌和短路能力强等优点，电压覆盖1200V、1700V、1900V,典型应用领域为新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、储能电源、风力发电、轨道交通等。

应用举例

应用典型值推荐

应用电路	LV-MOS产品名	封装	VDS	lD	RDS(on) @10V max	Vth @typ	Ciss	Qg
应用电路	LV-MOS产品名	封装	(V)	(A)	(mohm)	(V)	(pF)	(nC)
DC-DC	AUN042N055	DFN5*6	55		5.0	3.0	3803	53.5
	AUN046N06	DFN5*6	60		5.3	3.0	3720	54.9
	AUP034N10	TO-220	100		3.4	3	10000	138
	AUP049N10	TO-220	100		4.9	3	5687	60.7
	AUP065N10AL	TO-220	100		5.5	1.8	3680	60.7
BMS	AUB040N06T	TO-263	60		4.5	3	3720	54.9
	AUB060N08AG	TO-263	85		6	3	3730	48
	AUB026N085	TO-263	85		2.6	3	11000	152
	AUB034N10	TO-263	100		3.4	3	10000	138
	AUB037N10	TO-263	100		3.7	3	33.4	117
逆变	ASW65R041EFDA	TO-247-3L	650	80	41	4.0	7356	290.6
	ASW65R038EFD	TO-247-3L	650	80	38	4.0	7356	290.6
	ASW65R031EFD	TO-247-3L	650	89	31	3.5	8031	150.9
	ASW65R029EFD	TO-247-3L	600	90	29	3.5	9001	150.9

应用电路	IGBT产品名	封装	Vces	lc@100°C	VGE(th) @typ	VCE(Sat)@25°C Typ	推荐应用频率
应用电路	IGBT产品名	封装	(V)	(A)	(V)	(V)	(Hz)
逆变	AGW60N65	TO-247-3L	650	60	5.45	1.4	20K~50K
逆变	AGW75N65	TO-247-3L	650	60	5.6	1.3	20K~50K

应用电路	产品类型	TO247-3L	TO247-4L	TO263-7L	VDSmax(V)	Current (A)	Ron typ (mΩ)	Ron max (mΩ)	Vth (V)
逆变	SiC Mosfet	ADW065N028AH	ADQ1065N028AH	ADG065N028AH	650	80	30	35	2.8
	SiC Mosfet	ADW120N040	ADQ120N040		1200	76	35	40	3.2
	SiC Mosfet	ADW120N040L	ADQ120N040L		1200	76	35	40	2.5
	SiC Mosfet		ADQ120N080A		1200	35	80	130	3.7
	SiC Mosfet	ADW120N080	ADQ120N080	ADG120N080	1200	38	80	100	3.5
	SiC Mosfet	ADW120N100	ADQ120N100		1200	26	100	120	3.2
	SiC Mosfet	ADW120N080G2	ADQ120N080G2	ADG120N080G2	1200	35	80	100	2.8
	SiC Mosfet	ADW120N040G2	ADQ120N040G2		1200	68	40	45	2.7
	SiC Mosfet	ADW120N040BH	ADQ120N040BH	ADG120N040BH	1200	50.4	40	45	3.3
	SiC Mosfet	ADW120N016BH	ADQ120N016BH	ADG120N016BH	1200	131	17	25	2.0
	SiC Mosfet	ADW120N016AH	ADQ120N016AH		1200	131	18	25	2.5
	SiC Mosfet	ADW170N100	ADQ170N100		1700	29	100	130	2.7
	SiC Mosfet		ADQ170N055		1700	40	55	70	2.7
	SiC Mosfet	ADW170N022BG	ADQ170N022BG		1700	113	25	35	2.0
	SiC Mosfet		ADQ190N065		1900	35	65	80	2.7

应用案例

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