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SiC器件在直流充电桩领域应用

当前，电动汽车分为插电式混合动力汽车（PHEV）和电池电动汽车（BEV）。充电桩用于停车时从交流电网为电动汽车充电。通过提高电池容量和电子元器件的能源效率可实现更高的行驶里程。快速充电的趋势也影响了充电桩的发展，新趋势是30KW甚至高达40KW以上的设计。此类发展，加上对高效率和高功率密度且低系统成本的需求，强力推进了三相解决方案的使用。如今通常情况下，车载充电器电力流向是单向的，即从电网到电池，但也有双向使用的情况。安海半导体针对充电桩、大功率电源等应用开发的新一代SJ MOSFET系列,采用先进的多层外延技术，优化了元胞结构，具有电流能力强，短路能力好，雪崩特性强，体内二极管反向恢复特性优，dv/dt能力优的等特点和优点。提供系列第三代宽禁带功率半导体碳化硅SIC MOSFET产品，具有电流密度高、开关速度快、浪涌和短路能力强等优点，电压覆盖1200V、1700V、1900V,典型应用领域为新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、储能电源、风力发电、轨道交通等。在应用上更能满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求。

应用举例

应用典型值推荐

应用电路	SJMOS产品名	封装	VDS	ID	RDS(ON)@10V max	Vht@typ	Ciss	Qg
应用电路	SJMOS产品名	封装	(v)	[A]	(mohm)	(V)	(pF)	(nC)
PFC / DC-DC	ASW65R041EFDA	TO-247-3L	650	80	41	4.0	7356	290.6
	ASW65R038EFD	TO-247-3L	650	80	38	4.0	7356	290.6
	ASW65R031EFD	TO-247-3L	650	89	31	3.5	8031	150.9
	ASW65R029EFD	TO-247-3L	600	90	29	3.5	8001	150.9

应用电路	IGBT产品名	封装	Vces	lc@100°C	VGE(th) @typ	VCE(Sat)@25°C Typ	推荐应用频率
应用电路	IGBT产品名	封装	(v)	[A]	(V)	(V)	(Hz)
PFC / DC-DC	AGW60N65	TO-247-3L	650	60	5.45	1.4	20K~50K
PFC / DC-DC	AGW75N65	TO-247-3L	650	75	5.6	1.3	20K~50K

应用电路	产品类型	TO247-3L	TO247-4L	TO263-7L	VDSmax(V)	Current (A)	Ron typ (mΩ)	Ron max (mΩ)	Vth (V)
PFC / DC-DC	SiC Mosfet	ADW065N028AH	ADQ1065N028AH	ADG065N028AH	650	80	30	35	2.8
	SiC Mosfet	ADW120N040	ADQ120N040		1200	76	35	40	3.2
	SiC Mosfet	ADW120N040L	ADQ120N040L		1200	76	35	40	2.5
	SiC Mosfet		ADQ120N080A		1200	35	80	130	3.7
	SiC Mosfet	ADW120N080	ADQ120N080	ADG120N080	1200	38	80	100	3.5
	SiC Mosfet	ADW120N100	ADQ120N100		1200	26	100	120	3.2
	SiC Mosfet	ADW120N080G2	ADQ120N080G2	ADG120N080G2	1200	35	80	100	2.8
	SiC Mosfet	ADW120N040G2	ADQ120N040G2		1200	68	40	45	2.7
	SiC Mosfet	ADW120N040BH	ADQ120N040BH	ADG120N040BH	1200	50.4	40	45	3.3
	SiC Mosfet	ADW120N016BH	ADQ120N016BH	ADG120N016BH	1200	131	17	25	2.0
	SiC Mosfet	ADW120N016AH	ADQ120N016AH		1200	131	18	25	2.5
	SiC Mosfet	ADW170N100	ADQ170N100		1700	29	100	130	2.7
	SiC Mosfet		ADQ170N055		1700	40	55	70	2.7
	SiC Mosfet	ADW170N022BG	ADQ170N022BG		1700	113	25	35	2.0
	SiC Mosfet		ADQ190N065		1900	35	65	80	2.7

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