SiC器件在直流充电桩领域应用

当前,电动汽车分为插电式混合动力汽车(PHEV)和电池电动汽车(BEV)。充电桩用于停车时从交流电网为电动汽车充电。通过提高电池容量和电子元器件的能源效率可实现更高的行驶里程。快速充电的趋势也影响了充电桩的发展,新趋势是30KW甚至高达40KW以上的设计。 此类发展,加上对高效率和高功率密度且低系统成本的需求,强力推进了三相解决方案的使用。 如今通常情况下,车载充电器电力流向是单向的,即从电网到电池,但也有双向使用的情况。 安海半导体针对充电桩、大功率电源等应用开发的新一代SJ MOSFET系列,采用先进的多层外延技术,优化了元胞结构,具有电流能力强,短路能力好,雪崩特性强,体内二极管反向恢复特性优,dv/dt能力优的等特点和优点。提供系列第三代宽禁带功率半导体碳化硅SIC MOSFET产品,具有电流密度高、开关速度快、浪涌和短路能力强等优点,电压覆盖1200V、1700V、1900V,典型应用领域为新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、储能电源、风力发电、轨道交通等。在应用上更能满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求。

应用举例

应用典型值推荐

应用电路 SJMOS产品名 封装 VDS ID RDS(ON)@10V max Vht@typ Ciss Qg
(v) [A] (mohm) (V) (pF) (nC)
PFC / DC-DC ASW65R041EFDA TO-247-3L 650 80 41 4.0 7356 290.6
ASW65R038EFD TO-247-3L 650 80 38 4.0 7356 290.6
ASW65R031EFD TO-247-3L 650 89 31 3.5 8031 150.9
ASW65R029EFD TO-247-3L 600 90 29 3.5 8001 150.9
应用电路 IGBT产品名 封装 Vces lc@100°C VGE(th) @typ VCE(Sat)@25°C Typ 推荐应用频率
(v) [A] (V) (V) (Hz)
PFC / DC-DC AGW60N65 TO-247-3L 650 60 5.45 1.4 20K~50K
AGW75N65 TO-247-3L 650 75 5.6 1.3 20K~50K
应用电路 产品类型 TO247-3L TO247-4L TO263-7L VDSmax(V) Current (A) Ron typ (mΩ) Ron max (mΩ) Vth (V)
PFC / DC-DC SiC Mosfet ADW065N028AH ADQ1065N028AH ADG065N028AH 650 80 30 35 2.8
SiC Mosfet ADW120N040 ADQ120N040 1200 76 35 40 3.2
SiC Mosfet ADW120N040L ADQ120N040L 1200 76 35 40 2.5
SiC Mosfet ADQ120N080A 1200 35 80 130 3.7
SiC Mosfet ADW120N080 ADQ120N080 ADG120N080 1200 38 80 100 3.5
SiC Mosfet ADW120N100 ADQ120N100 1200 26 100 120 3.2
SiC Mosfet ADW120N080G2 ADQ120N080G2 ADG120N080G2 1200 35 80 100 2.8
SiC Mosfet ADW120N040G2 ADQ120N040G2 1200 68 40 45 2.7
SiC Mosfet ADW120N040BH ADQ120N040BH ADG120N040BH 1200 50.4 40 45 3.3
SiC Mosfet ADW120N016BH ADQ120N016BH ADG120N016BH 1200 131 17 25 2.0
SiC Mosfet ADW120N016AH ADQ120N016AH 1200 131 18 25 2.5
SiC Mosfet ADW170N100 ADQ170N100 1700 29 100 130 2.7
SiC Mosfet ADQ170N055 1700 40 55 70 2.7
SiC Mosfet ADW170N022BG ADQ170N022BG 1700 113 25 35 2.0
SiC Mosfet ADQ190N065 1900 35 65 80 2.7