应用案例
针对手机快充、PD快充、适配器、等电源应用，安海半导体推出新一代SJ MOSFET系列,应用温升效率优，EMI特性好，抗浪涌能力强。同时安海半导体提供系统方案，次端推荐使用安海半导体中低压MOS。
| 输出电压(V) | 输出电流(A) | HVMOS | SRMOS |
|---|---|---|---|
| 5 | 2-4 | ASD65R1K4E ASD65R1K3E ASD65R850E |
* AUN042N055 AUN046N06 |
| 9 | 2 | ASD65R850E | * AUN042N055 |
| 2.77 | ASD70R950E | AUN046N06 |
|
| 12 | 2-3 | ASD65R850E ASM60R330E |
AUN084N10 AUN065N10 AUN060N10 |
| 20 | 2.25-3.25-5 | ASD65R350E ASD65R300E ASM60R330E ASM65R265E ASM65R190EFD ASD70R380E |
AUN060N10 AUN053N10 AUN040N10 AUN036N10 |
| 24 | 2-3-5 | ASD65R350E ASD65R300E ASM65R265E ASM65R190EFD ASD70R380E |
AUN060N10 AUN053N10 AUN040N10 AUN036N10 * |
针对墙插插板电源等应用，安海半导体推出新一代SJ MOSFET系列,应用温升效率优，EMI特性好，抗浪涌能力强。同时安海半导体提供系统方案，次端推荐使用安海半导体中低压MOS。
| 输出电压(V) | 输出电流(A) | HVMOS | SRMOS |
|---|---|---|---|
| 5 | 2-4 | ASD65R1K4E ASD65R1K3E ASD65R850E |
* AUN042N055 AUN046N06 |
| 9 | 2 | ASD65R850E | * AUN042N055 |
| 2.77 | ASD70R950E | AUN046N06 |
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| 12 | 2-3 | ASD65R850E ASM60R330E |
AUN084N10 AUN065N10 AUN060N10 |
| 20 | 2.25-3.25-5 | ASD65R350E ASD65R300E ASM60R330E ASM65R265E ASM65R190EFD ASD70R380E |
AUN060N10 AUN053N10 AUN040N10 AUN036N10 |
| 24 | 2-3-5 | ASD65R350E ASD65R300E ASM65R265E ASM65R190EFD ASD70R380E |
AUN060N10 AUN053N10 AUN040N10 AUN036N10 * |