ANHI 安海半导体 SiC MOSFET 再获殊荣,荣获极光奖两项大奖

发布时间:2024-12-20 14:03:38

安海半导体2024年12月18日 12:00
以下文章来源于安海官网 ,作者安海

经过公司共同努力,安海半导体SIC MOSFET 碳化硅器件再度赢得行业殊荣,荣获2024年度极光奖“中国SIC模块十强企业”奖项。与此同时,凭借其在碳化硅技术领域的持续创新突破及得益于产品性能持续提升,其SiC模块热阻更低,使得模块导通电阻热漂移更小(仅2mΩ),175°C漏电电流小于0.15uA,安海半导体被授予“年度创新产品奖的荣誉。

出于飞机重量和空间的设计考虑,起动器的控制器更高开关频率的SiC转换器,以实现高功率密度,应地减小无源元件的尺寸。与普通硅基器件相比,SiC半导体的耐高温优势也得到充分体现。SiC器件可在高达 300°C 的高温空气环境中工作,这使得功率转换器可以放置在更靠近起动器的位置(可工作在极限高低温状态),安海半导体最新推出的SiC功率模块AIS08R12TK STPAK封装已经率先导入国内外多家航空公司的飞机起动控制器及船舶业水下推进器中。

飞机起动器与电路拓扑示意图

 

安海SIC MOSFET相较于第一代产品,这一提升尤为显著,从而使其更加适配于电动汽车电驱、车载OBC、直流快速充电站、牵引逆变器、太阳能逆变器、低空飞行器、航空发动机电驱启动等高效能应用场景。安海半导体系列碳化硅产品的推出,进一步体现了安海半导体致力于通过自主研发的技术为国内能源转换与电机驱动行业提供高性能、高鲁棒性的碳化硅芯片与模块。