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600-800V 超结MOSFET

安海二代超结采用沟槽栅结构，通过体内场板在耐压层内部引入电荷，与硅层电离电荷保持平衡，优化体内电场降低器件特征导通电阻。进一步降低产品特征导通电阻（Rdson*A）及栅极电荷(Qg)，提升FOM(品质因子(Qg*Rdson))，SJ系列产品涵盖600V~800V，可广泛应用于LED照明，服务器电源，充电桩等产品领域中。

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Product	VDSmax(V)	Current	Ron typ mΩ	Ron max mΩ	Vth	Assembly
ASA80R290E	800	15	250	280	3	TO-220F
ASW80R290E	800	15	250	280	3	TO-247-3L
ASM60R330E	600	11	305	330	3.5	DFN8*8
ASA65R350E	650	11	318	350	3.5	TO-220F
ASA60R330E	600	11	305	330	3.5	TO-220F
ASA70R380E	700	11	341	380	3.5	TO-220F
ASA65R550E	650	8	500	550	3.5	TO-220F
ASA60R550E	600	8	480	550	3.5	TO-220F
ASA70R600E	700	8	540	600	3.5	TO-220F
ASA65R850E	650	6	748	850	3.5	TO-220F
ASA60R840E	600	6	750	840	3.5	TO-220F
ASA70R950E	700	6	870	950	3.5	TO-220F
ASA65R220E	650	20	190	220	3.5	TO-220F
ASA60R210E	600	20	180	210	3.5	TO-220F
ASA70R240E	700	20	210	240	3.5	TO-220F
ASW65R090E	650	47	72	90	3.5	TO-247
ASW65R095EFD	650	47	82	95	4	TO-247
ASW60R090E	600	47	72	90	3.5	TO-247
ASW60R090EFD	600	47	80	90	4	TO-247
ASA65R150E	650	28	140	170	3.5	TO-220F
ASA65R190EFD	650	28	140	190	4	TO-220F
ASA60R150E	600	28	120	150	3.5	TO-220F
ASA60R180EFD	600	28	138	180	4	TO-220F
ASA70R150E	700	28	150	180	3.5	TO-220F
ASW65R068E	650	54	55	68	3.5	TO-247
ASW65R041EFDA	650	80	35	41	4	TO-247
ASW65R110E	650	30	90	99	3.5	TO-247
ASA60R280E	600	15	250	275	3.5	TO-220F
ASA60R170E ASA65R170E	600	25	170	190	3.5	TO-220F
ASW65R072EFD	650	54	55	68	4	TO-247